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新材料革命:第三代半導(dǎo)體與固態(tài)電池的破局之路
發(fā)布時(shí)間:2025-06-26
在半導(dǎo)體材料的迭代進(jìn)程中,第三代半導(dǎo)體憑借其寬禁帶特性(禁帶寬度>2.2eV),正重塑能源轉(zhuǎn)換與信息傳輸?shù)牡讓舆壿?。以氮化鎵(GaN)為例,其 3.4eV 的禁帶寬度使其擊穿場(chǎng)強(qiáng)達(dá)到 3.3MV/cm,是硅材料的 10 倍以上。這種特性使得 GaN 器件在 650V 高壓場(chǎng)景下仍能保持 98% 以上的轉(zhuǎn)換效率,而傳統(tǒng)硅基 IGBT 在 400V 以上效率便急劇下降。在新能源汽車(chē)領(lǐng)域,采用 GaN 逆變器可使電驅(qū)系統(tǒng)體積縮小 40%,續(xù)航提升 15%。
固態(tài)電池則通過(guò)固態(tài)電解質(zhì)替代液態(tài)電解液,從根本上解決了鋰離子電池的安全隱患。以硫化物固態(tài)電解質(zhì)為例,其離子電導(dǎo)率可達(dá) 1.7mS/cm,接近液態(tài)電解液水平,同時(shí)可承受 10mA/cm2 的高電流密度。寧德時(shí)代研發(fā)的硫化物 - 鹵化物復(fù)合固態(tài)電池已實(shí)現(xiàn) 500Wh/kg 的能量密度,較現(xiàn)有三元鋰電池提升 40%。
第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域:
● 材料制備:北京大學(xué)團(tuán)隊(duì)通過(guò)掃描透射電子顯微鏡(STEM)首次觀測(cè)到氮化鎵位錯(cuò)的原子級(jí)攀移過(guò)程,發(fā)現(xiàn)混合位錯(cuò)以 “5-9” 原子環(huán)循環(huán)交替方式運(yùn)動(dòng),這一成果為缺陷調(diào)控提供了新路徑。英諾賽科建成全球首條 8 英寸硅基氮化鎵量產(chǎn)線,良率提升至 75%,成本較 4 英寸晶圓降低 60%。
● 器件應(yīng)用:華為昇騰系列 AI 芯片采用 GaN 射頻器件,頻率覆蓋 40GHz 以上,功率密度較傳統(tǒng) LDMOS 提升 3 倍。在光伏領(lǐng)域,陽(yáng)光電源推出的 1500V SiC 逆變器效率突破 99%,較硅基產(chǎn)品降低損耗 30%。
固態(tài)電池領(lǐng)域:
● 電解質(zhì)技術(shù):復(fù)旦大學(xué)開(kāi)發(fā)的 Li?ZrF?涂層技術(shù),在高負(fù)載正極(30.19mg/cm2)下循環(huán) 1500 次容量保持率達(dá) 80%。寧德時(shí)代的硫化物固態(tài)電解質(zhì)已完成 20Ah 樣品試制,計(jì)劃 2027 年實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn)。
● 系統(tǒng)集成:比亞迪與中科院深圳先進(jìn)院合作,開(kāi)發(fā)出氧化物 - 硫化物復(fù)合固態(tài)電池,采用高鎳三元正極 + 硅碳負(fù)極體系,能量密度突破 400Wh/kg,循環(huán)壽命超 3000 次。奔馳測(cè)試的全球首輛固態(tài)電池汽車(chē)?yán)m(xù)航達(dá) 1000 公里,充電 10 分鐘可補(bǔ)充 80% 電量。
國(guó)家層面通過(guò) “十四五” 原材料工業(yè)發(fā)展規(guī)劃明確第三代半導(dǎo)體和固態(tài)電池為戰(zhàn)略重點(diǎn),設(shè)立 60 億元專(zhuān)項(xiàng)研發(fā)基金,并將全固態(tài)電池納入新產(chǎn)業(yè)標(biāo)準(zhǔn)體系。地方政府積極響應(yīng),如廣州南沙區(qū)投入 300 億元打造第三代半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài),涵蓋材料、設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試等環(huán)節(jié)。
在產(chǎn)業(yè)鏈協(xié)同方面,英諾賽科與意法半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略聯(lián)盟,共同開(kāi)發(fā)車(chē)規(guī)級(jí) GaN 器件;寧德時(shí)代聯(lián)合上汽、廣汽等車(chē)企成立全固態(tài)電池產(chǎn)學(xué)研平臺(tái),推動(dòng)技術(shù)落地。國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)格局中,日本聚焦硫化物路線,掌握全球 70% 的硫化物電解質(zhì)專(zhuān)利;美國(guó)通過(guò) Battery500 計(jì)劃布局氧化物 - 聚合物復(fù)合路線,試圖構(gòu)建技術(shù)壁壘。
當(dāng)前技術(shù)瓶頸集中在材料制備與界面工程。氮化鎵外延片的位錯(cuò)密度需從 10? cm?2 降至 103 cm?2 以下,才能滿足高功率器件需求。固態(tài)電池的固 - 固界面阻抗問(wèn)題仍待解決,清華大學(xué)開(kāi)發(fā)的軟碳 - Li?N 界面層可將界面阻抗降低至 0.5Ω?cm2。
未來(lái)五年,第三代半導(dǎo)體將在新能源汽車(chē)(滲透率超 35%)、5G 通信(GaN 射頻市場(chǎng)突破 150 億元)、工業(yè)自動(dòng)化(散熱成本降低 30%)等領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)規(guī)模化應(yīng)用。固態(tài)電池則有望在 2030 年前后實(shí)現(xiàn) “固液同價(jià)”,2035 年全球滲透率突破 10%,成為新能源產(chǎn)業(yè)的核心支撐。
我國(guó)在第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域已形成京津冀魯、長(zhǎng)三角、珠三角等五大產(chǎn)業(yè)集群,2024 年 SiC/GaN 電力電子產(chǎn)值達(dá) 95 億元,同比增長(zhǎng) 29.6%。固態(tài)電池領(lǐng)域,寧德時(shí)代、比亞迪等企業(yè)的專(zhuān)利申請(qǐng)量占全球 40%,在氧化物路線上實(shí)現(xiàn)技術(shù)領(lǐng)跑。
面對(duì) “卡脖子” 挑戰(zhàn),需加快 8 英寸 SiC 襯底量產(chǎn)(國(guó)產(chǎn)化率目標(biāo) 30%)、突破 EUV 光刻機(jī)等核心設(shè)備,并構(gòu)建 “材料 - 器件 - 應(yīng)用” 全鏈條生態(tài)。通過(guò) “揭榜掛帥” 機(jī)制推動(dòng)產(chǎn)學(xué)研協(xié)同,如中科芯的氮化鎵晶體管可靠性技術(shù)、南京集芯的晶圓腐蝕裝置等成果已進(jìn)入產(chǎn)業(yè)化階段。
這場(chǎng)新材料革命不僅關(guān)乎技術(shù)突破,更涉及產(chǎn)業(yè)生態(tài)重構(gòu)。從國(guó)家實(shí)驗(yàn)室到龍頭企業(yè),從基礎(chǔ)研究到場(chǎng)景應(yīng)用,中國(guó)正以自主創(chuàng)新為引擎,在第三代半導(dǎo)體與固態(tài)電池領(lǐng)域開(kāi)辟出一條 “換道超車(chē)” 的新路徑。